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富瑞2025年9月19日指出，中國AI晶片因關鍵設備受限及產能不足，難以競爭輝達H20；中芯國際7奈米良率低，華為5奈米計劃未實現，代工晶片晶體管低於300億性能不足。
事實要點：
▷ 中國AI晶片晶體管低於300億（性能難敵輝達H20）
▷ 華為昇騰910D原計劃5奈米因良率低未實現（現仍為7奈米）
▷ 中芯國際僅能用DUV生產5奈米（多重圖案化致良率低落）
▷ 中國7奈米產能受限（關鍵設備WFE可得性為最大瓶頸）
▷ 中芯產能優先分配華為（其他AI晶片商獲配不足）
富瑞稱，雖然中國下令終止採購英偉達晶片，而有一系列國產AI晶片公告，令市場興奮不已，但該行提醒投資者指，本土唯一能量產7納米製程的中芯國際(00981)(滬:688981)產能因美國而受限，且中國圖形處理器(GPU)廠商若找海外代工則晶片規格將大幅降級。
報告亦表示，華為的新晶片存在不確定性，公司去年計劃推出採用5納米工藝的昇騰910D，但由於良率低而未能實現；目前的910D仍為7奈米工藝。
報告續指出，中國減少對英偉達晶片依賴，最大樽頸位並非集成電路設計能力，而是先進晶圓製造設備(WFE)的可得性，這制約其7納米的產能和良率。此外，中芯國際良率低落，主因其只能使用深紫外線(DUV)工具，而不是極紫外線(EUV)，通過多重圖案化來生產5納米工藝，而且其沈積、蝕刻和離子注入等其他關鍵先進設備也受美國限制。而中芯國際產能受限，除華為以外，不太可能為所有中國AI晶片設計公司分配足夠的產能。
報告指出，一旦中國AI晶片設計符合美國設定的門檻，台積電或三星可在無需美國出口許可的情況下，為其代工，惟但符合門檻條件的、晶體管數量低於300億的中國晶片很難在性能上與英偉達H20競爭。
該行認為，中美貿易談判或帶來積極影響，稀土仍為中國談判提供籌碼，且預計中國更傾向達成放寬WFE的出口限制或放寬晶片審查的貿易協議，但預計美方阻力仍存。
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《經濟通通訊社19日專訊》
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