近日，北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者在《自然-通訊》上披露了他們的新發現。該團隊通過冷凍電子斷層掃描技術，首次在原位狀態下解析了光刻膠分子在液相環境中的微觀三維結構、界面分布與纏結行為，指導開發出可顯著減少光刻缺陷的產業化方案。
光刻是芯片製造中關鍵的步驟之一，通俗地說，光刻就是給半導體晶圓（比如硅片）「印電路」，核心是用超精密「投影儀」把設計好的電路圖案，縮小後印在硅片的特殊薄膜上，再通過沖洗定型。團隊首次將冷凍電鏡斷層掃描技術引入到半導體領域，設計了一套與光刻流程緊密結合的樣品制備方法。與傳統方法相比，新方法可高分辨率重建液膜中光刻膠聚合物的三維結構與界面分布，還能解析光刻膠分子的聚合物纏結現象。
彭海琳表示，團隊由此提出了兩項簡單、高效且與現有半導體產線兼容的解決方案：一是抑制纏結，二是界面捕獲。實驗表明，兩種策略結合，12英寸晶圓表面的光刻膠殘留物引起的圖案缺陷被成功消除，缺陷數量降幅超過99%，且該方案具備極高的可靠性和重復性。
《經濟通通訊社27日專訊》
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